Micron G11 NAND: более 400 слоёв и двойная плотность в 2027
Micron пропускает G10 и анонсирует 3D NAND G11: более 400 слоёв, примерно вдвое выше плотность, чем у G9, и до 50% быстрее интерфейс. Массовый выпуск — с конца 2027.
Редакция LandGadget · · 3 мин чтения

Содержание
Micron показала следующий большой шаг во флеш-памяти — и ради него пропустила один номер. На технологическом вебинаре на этой неделе компания анонсировала 3D NAND G11, перескочив с нынешнего G9 сразу на G11, пишет Tom's Hardware. Пропуск названия поколения для рынка памяти не редкость, но характеристики говорят о настоящем скачке.
Что обещает Micron
- Более 400 слоёв вместо 276 у G9 (его используют, например, в Crucial P510). Сколько именно активных слоёв и ярусов, Micron не уточняет.
- Примерно вдвое большая плотность по сравнению с G9 — за счёт дополнительных слоёв и, по словам Micron, «наименьшего в отрасли» шага ячеек.
- До 50% быстрее интерфейс. Tom's Hardware считает, что это примерно 3600 → 5400 MT/s, но это расчёт издания, а не цифра от Micron.
- Более чем на 25% меньше энергии на каждый переданный бит.
Некоторые издания приводят плотность 42 Гбит/мм². Это оценка, полученная удвоением ранее названной цифры для G9, и Micron её не подтверждала. К тому же неясно, идёт ли речь о чипах TLC (3 бита на ячейку) или QLC (4 бита), а разница здесь существенная.
Главное изменение — соединение пластин
В G11 применяется соединение пластин (wafer-on-wafer bonding). Массив памяти Micron изготавливает на одной пластине по новому техпроцессу 3D NAND, а периферийную логику и схемы ввода-вывода — на отдельной пластине по логическому техпроцессу, после чего их соединяют. Похожий подход уже использует китайская YMTC. В прошлых поколениях Micron логика располагалась под массивом памяти на той же пластине.
«Мы говорили, что внедрим соединение пластин в подходящий момент, когда это будет экономически оправдано», — отметил Скотт Дебур, президент и директор Micron по технологиям и продуктам, назвав G11 «самой передовой NAND в мире».
После G11 Micron работает над материалами с высокой подвижностью носителей и сверхплотными архитектурами ячеек, так что будущий прирост будет давать не только число слоёв, но и уменьшение ячеек. Сроков для этого компания не называла.
Когда это появится
Нескоро. Массовый выпуск начнётся во второй половине 2027 года, а подробные технические данные Micron обещает ближе к этому времени. Потребительские SSD обычно появляются через несколько месяцев после нового поколения NAND, и первыми покупателями становятся дата-центры, где спрос на плотные и быстрые накопители подогревает ИИ.
Что это значит для покупателей
Более плотная NAND — путь к более ёмким и со временем более дешёвым в пересчёте на терабайт SSD, но цены на память зависят и от предложения и спроса со стороны ИИ, как показывает спор о стоимости памяти для PS6. Если накопитель нужен сейчас, в нашем гиде по выбору SSD объясняем, что действительно важно, а быстрые внешние боксы вроде 20-гигабитного M.2-корпуса Ugreen дают вторую жизнь старому диску.
Ещё: Компьютеры и ИИ
Все →Читайте дальше

Новый план Artemis: тест на орбите Земли, Луна в 2028 году
Artemis III в 2027 году станет тестовым полётом на орбите Земли с обоими коммерческими посадочными модулями, а высадку на Луну NASA перенесло на 2028 год.

Персональный календарь Steam вышел из Labs: релизы для вас
Персональный календарь теперь полноценная функция Steam: подборка релизов на 8 недель по вашей истории игр с фильтрами списка желаемого, DLC и раннего доступа.

Как проверить состояние батареи на iPhone и Android
Как проверить износ батареи на iPhone, Samsung Galaxy, Pixel и других Android-смартфонах, что значат цифры и когда стоит менять аккумулятор, а когда — телефон.