Перейти до змісту

Micron G11 NAND: понад 400 шарів і подвійна щільність у 2027

Micron пропускає G10 і анонсує 3D NAND G11: понад 400 шарів, приблизно вдвічі вища щільність, ніж у G9, і до 50% швидший інтерфейс. Масове виробництво — з кінця 2027.

· · 3 хв читання

Поділитися
Чип флешпам'яті Micron NAND крупним планом на зеленій платі старого SSD Crucial (ілюстративне фото, не G11)
Фото: Raimond Spekking / Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0
Зміст

Micron показала наступний великий крок у флешпам'яті — і заради нього пропустила один номер. На технологічному вебінарі цього тижня компанія анонсувала 3D NAND G11, перескочивши з нинішнього G9 одразу на G11, пише Tom's Hardware. Пропуск назви покоління для ринку пам'яті не дивина, але характеристики свідчать про справжній стрибок.

Що обіцяє Micron

  • Понад 400 шарів замість 276 у G9 (його використовують, зокрема, у Crucial P510). Скільки саме активних шарів і ярусів, Micron не уточнює.
  • Приблизно вдвічі вища щільність порівняно з G9 — завдяки додатковим шарам і, за словами Micron, «найменшому в галузі» кроку комірок.
  • До 50% швидший інтерфейс. Tom's Hardware рахує, що це приблизно 3600 → 5400 MT/s, але це розрахунок видання, а не цифра від Micron.
  • Понад 25% менше енергії на кожен переданий біт.

Деякі видання наводять щільність 42 Гбіт/мм². Це оцінка, отримана подвоєнням раніше згаданої цифри для G9, і Micron її не підтверджувала. До того ж незрозуміло, чи йдеться про чипи TLC (3 біти на комірку) чи QLC (4 біти), а різниця тут суттєва.

Головна зміна — з'єднання пластин

У G11 застосовано з'єднання пластин (wafer-on-wafer bonding). Масив пам'яті Micron виготовляє на одній пластині за новим техпроцесом 3D NAND, а периферійну логіку й схеми вводу-виводу — на окремій пластині за логічним техпроцесом, після чого їх з'єднують. Подібний підхід уже використовує китайська YMTC. У попередніх поколіннях Micron логіка розташовувалася під масивом пам'яті на тій самій пластині.

«Ми казали, що впровадимо з'єднання пластин у слушний момент, коли це буде економічно вигідно», — зазначив Скотт Дебур, президент і директор Micron з технологій та продуктів, назвавши G11 «найдосконалішою NAND у світі».

Після G11 Micron працює над матеріалами з високою рухливістю носіїв і надщільними архітектурами комірок, тож майбутній приріст даватиме не лише кількість шарів, а й зменшення комірок. Дат для цього компанія не називала.

Коли це з'явиться

Нескоро. Масове виробництво почнеться в другій половині 2027 року, а детальніші технічні дані Micron обіцяє ближче до того часу. Споживчі SSD зазвичай з'являються через кілька місяців після нового покоління NAND, і першими покупцями стають дата-центри, де попит на щільні й швидкі накопичувачі підживлює ШІ.

Що це означає для покупців

Щільніша NAND — це шлях до більших і з часом дешевших у перерахунку на терабайт SSD, проте ціни на пам'ять залежать і від пропозиції та попиту з боку ШІ, як показує суперечка про вартість пам'яті для PS6. Якщо накопичувач потрібен зараз, у нашому гіді з вибору SSD пояснюємо, що справді важливо, а швидкі зовнішні кишені на кшталт 20-гігабітного M.2-корпуса Ugreen дають друге життя старому диску.

Поділитися

Більше: Комп'ютери та ШІ

Усі →

Читайте далі

Смартфон лежить на бездротовому індукційному зарядному пристрої (ілюстративне фото)
Смартфони6 хв читання

Як перевірити стан батареї на iPhone та Android

Як перевірити знос батареї на iPhone, Samsung Galaxy, Pixel та інших Android-смартфонах, що означають цифри і коли варто міняти акумулятор, а коли — телефон.