Micron G11 NAND: понад 400 шарів і подвійна щільність у 2027
Micron пропускає G10 і анонсує 3D NAND G11: понад 400 шарів, приблизно вдвічі вища щільність, ніж у G9, і до 50% швидший інтерфейс. Масове виробництво — з кінця 2027.
Редакція LandGadget · · 3 хв читання

Micron показала наступний великий крок у флешпам'яті — і заради нього пропустила один номер. На технологічному вебінарі цього тижня компанія анонсувала 3D NAND G11, перескочивши з нинішнього G9 одразу на G11, пише Tom's Hardware. Пропуск назви покоління для ринку пам'яті не дивина, але характеристики свідчать про справжній стрибок.
Що обіцяє Micron
- Понад 400 шарів замість 276 у G9 (його використовують, зокрема, у Crucial P510). Скільки саме активних шарів і ярусів, Micron не уточнює.
- Приблизно вдвічі вища щільність порівняно з G9 — завдяки додатковим шарам і, за словами Micron, «найменшому в галузі» кроку комірок.
- До 50% швидший інтерфейс. Tom's Hardware рахує, що це приблизно 3600 → 5400 MT/s, але це розрахунок видання, а не цифра від Micron.
- Понад 25% менше енергії на кожен переданий біт.
Деякі видання наводять щільність 42 Гбіт/мм². Це оцінка, отримана подвоєнням раніше згаданої цифри для G9, і Micron її не підтверджувала. До того ж незрозуміло, чи йдеться про чипи TLC (3 біти на комірку) чи QLC (4 біти), а різниця тут суттєва.
Головна зміна — з'єднання пластин
У G11 застосовано з'єднання пластин (wafer-on-wafer bonding). Масив пам'яті Micron виготовляє на одній пластині за новим техпроцесом 3D NAND, а периферійну логіку й схеми вводу-виводу — на окремій пластині за логічним техпроцесом, після чого їх з'єднують. Подібний підхід уже використовує китайська YMTC. У попередніх поколіннях Micron логіка розташовувалася під масивом пам'яті на тій самій пластині.
«Ми казали, що впровадимо з'єднання пластин у слушний момент, коли це буде економічно вигідно», — зазначив Скотт Дебур, президент і директор Micron з технологій та продуктів, назвавши G11 «найдосконалішою NAND у світі».
Після G11 Micron працює над матеріалами з високою рухливістю носіїв і надщільними архітектурами комірок, тож майбутній приріст даватиме не лише кількість шарів, а й зменшення комірок. Дат для цього компанія не називала.
Коли це з'явиться
Нескоро. Масове виробництво почнеться в другій половині 2027 року, а детальніші технічні дані Micron обіцяє ближче до того часу. Споживчі SSD зазвичай з'являються через кілька місяців після нового покоління NAND, і першими покупцями стають дата-центри, де попит на щільні й швидкі накопичувачі підживлює ШІ.
Що це означає для покупців
Щільніша NAND — це шлях до більших і з часом дешевших у перерахунку на терабайт SSD, проте ціни на пам'ять залежать і від пропозиції та попиту з боку ШІ, як показує суперечка про вартість пам'яті для PS6. Якщо накопичувач потрібен зараз, у нашому гіді з вибору SSD пояснюємо, що справді важливо, а швидкі зовнішні кишені на кшталт 20-гігабітного M.2-корпуса Ugreen дають друге життя старому диску.
Більше: Комп'ютери та ШІ
Усі →Читайте далі

Новий план Artemis: тест на орбіті Землі, Місяць у 2028-му
Artemis III у 2027 році стане тестовим польотом на орбіті Землі з обома комерційними посадковими модулями, а першу висадку на Місяць NASA перенесло на 2028 рік.

Персональний календар Steam вийшов із Labs: релізи для вас
Персональний календар тепер повноцінна функція Steam: добірка релізів на 8 тижнів за вашою історією ігор із фільтрами списку бажаного, DLC і раннього доступу.

Як перевірити стан батареї на iPhone та Android
Як перевірити знос батареї на iPhone, Samsung Galaxy, Pixel та інших Android-смартфонах, що означають цифри і коли варто міняти акумулятор, а коли — телефон.